開關(guān)電源的EMI整改方式
開關(guān)電源EMI整改中，關(guān)于不同頻段干擾原因及抑制辦法：
1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主
1.增大X電容量;
2.添加差模電感;
3.小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。
1MHZ---5MHZ---差模共�；旌�
采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并以解決，
1.對于差模干擾超標可調(diào)整X電容量，添加差模電感器，調(diào)差模電感量;
2.對于共模干擾超標可添加共模電感，選用合理的電感量來抑制;
3.也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007。
5M---以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。
對于外殼接地的，在地線上用一個磁環(huán)串繞2-3圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;
可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔， 銅箔閉環(huán)。
處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。
對于20--30MHZ
1.對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變Y2電容位置;
2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值;
3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。
4.改變PCB LAYOUT;
5.輸出線前面接一個雙線并繞的小共模電感;
6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);
7.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE;
8.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容。
9. 可以用增大MOS驅(qū)動電阻。
30---50MHZ 普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起
1.可以用增大MOS驅(qū)動電阻;
2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管;
3.VCC供電電壓用1N4007慢管來解決;
4.或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感;
5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個小吸收電路;
6.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE;
7.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容;
8.PCB心LAYOUT時大電解電容，變壓器，MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小;
9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。
50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起
1.可以在整流管上串磁珠;
2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);
3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗，如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當?shù)碾娮?
4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點)。
5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射。
200MHZ以上開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過EMI標準
于EMI我只知道盡量將有高頻電流流過的銅箔做在線路板內(nèi)側(cè)，將流過直流電的銅箔或是低頻電流的銅箔放在外側(cè)，高頻大電流銅箔盡量短，自己用EMC的儀器測試都沒有什么問題，當然低端的用Pai型濾波就可以，20W以上則要變壓器屏敝+共模電感，當有Y電容時，后級紋波的大小對EMI影響較大。另外變壓器用銅箔屏敝比繞線效果要好很多。成本也低。反饋電路有諧振時EMI也很難過，特別是從變壓器中出來的一串串高頻尖峰電壓，會使該頻段的MEI數(shù)值上升10甚至20DB以上，這在恒流開關(guān)電源中比較常見。單是怎樣把環(huán)路面積做到最少，就是很難的問題，共模濾波部分跟初級怎樣布局，大電解電容怎樣放置，散熱器器怎么做，接地應(yīng)該怎么樣接，都需要考慮，X電容與Y電容的排法，都很有講究。如：共模電感下面不要走初級的任何銅線，但濾波電路可以通過，如果有PFC電感，這個電感離共模電感要遠，而且這個電感下面最好不要放置控制IC，特別是CRM模式的PFC.
1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主
1.增大X電容量;
2.添加差模電感;
3.小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。
1MHZ---5MHZ---差模共�；旌�
采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并以解決，
1.對于差模干擾超標可調(diào)整X電容量，添加差模電感器，調(diào)差模電感量;
2.對于共模干擾超標可添加共模電感，選用合理的電感量來抑制;
3.也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007。
5M---以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。
對于外殼接地的，在地線上用一個磁環(huán)串繞2-3圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;
可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔， 銅箔閉環(huán)。
處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。
對于20--30MHZ
1.對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變Y2電容位置;
2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值;
3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。
4.改變PCB LAYOUT;
5.輸出線前面接一個雙線并繞的小共模電感;
6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);
7.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE;
8.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容。
9. 可以用增大MOS驅(qū)動電阻。
30---50MHZ 普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起
1.可以用增大MOS驅(qū)動電阻;
2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管;
3.VCC供電電壓用1N4007慢管來解決;
4.或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感;
5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個小吸收電路;
6.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE;
7.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容;
8.PCB心LAYOUT時大電解電容，變壓器，MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小;
9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。
50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起
1.可以在整流管上串磁珠;
2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);
3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗，如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當?shù)碾娮?
4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點)。
5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射。
200MHZ以上開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過EMI標準
于EMI我只知道盡量將有高頻電流流過的銅箔做在線路板內(nèi)側(cè)，將流過直流電的銅箔或是低頻電流的銅箔放在外側(cè)，高頻大電流銅箔盡量短，自己用EMC的儀器測試都沒有什么問題，當然低端的用Pai型濾波就可以，20W以上則要變壓器屏敝+共模電感，當有Y電容時，后級紋波的大小對EMI影響較大。另外變壓器用銅箔屏敝比繞線效果要好很多。成本也低。反饋電路有諧振時EMI也很難過，特別是從變壓器中出來的一串串高頻尖峰電壓，會使該頻段的MEI數(shù)值上升10甚至20DB以上，這在恒流開關(guān)電源中比較常見。單是怎樣把環(huán)路面積做到最少，就是很難的問題，共模濾波部分跟初級怎樣布局，大電解電容怎樣放置，散熱器器怎么做，接地應(yīng)該怎么樣接，都需要考慮，X電容與Y電容的排法，都很有講究。如：共模電感下面不要走初級的任何銅線，但濾波電路可以通過，如果有PFC電感，這個電感離共模電感要遠，而且這個電感下面最好不要放置控制IC，特別是CRM模式的PFC.
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