開(kāi)關(guān)電源優(yōu)劣的判斷方法
開(kāi)關(guān)電源技術(shù)在２０世紀(jì)８０年代引入我國(guó)，往常已普遍應(yīng)用于通訊范疇。由于電源的性能直接影響著系統(tǒng)的牢靠性，因而正確判別開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)劣也就顯得尤為重要。僅從電源的輸入、輸出特性指標(biāo)來(lái)權(quán)衡開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)劣，顯然是不夠的，還應(yīng)該從下列幾方面著手。
一、功率器件
開(kāi)關(guān)電源技術(shù)屬于電力電子技術(shù)，它運(yùn)用功率變換器停止電能變換，因此從功率器件的類(lèi)型上很容易推斷出產(chǎn)品大致的研發(fā)年代。我們曉得，大功率硅整流管和晶閘管呈現(xiàn)于２０世紀(jì)６０年代；大功率逆變用的晶閘管、巨型功率晶體管（ＧＴＲ）和門(mén)極可關(guān)斷晶閘管（ＧＴＯ）的消費(fèi)年代在２０世紀(jì)７０年代；功率場(chǎng)效應(yīng)管（ＭＯＳＦＥＴ）呈現(xiàn)于２０世紀(jì)８０年代；絕緣柵雙極晶體管 （ＩＧＢＴ）則是呈現(xiàn)于２０世紀(jì)９０年代的器件。這里需求闡明的是，功率場(chǎng)效應(yīng)管由于單極性多子導(dǎo)電，顯著地減小了開(kāi)關(guān)時(shí)間，所以很容易地到達(dá)１ＭＨｚ的開(kāi)關(guān)工作頻率。但是功率場(chǎng)效應(yīng)管要進(jìn)步器件阻斷電壓必需加寬器件的漂移區(qū)，結(jié)果使器件內(nèi)阻疾速增大，器件的通態(tài)壓降增高，通態(tài)損耗增大。絕緣柵極雙極晶體管在構(gòu)造上相似于功率場(chǎng)效應(yīng)管，其不同點(diǎn)在于絕緣柵極雙極晶體管是在Ｎ溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管的Ｎ＋基板（漏極）上增加了一個(gè)Ｐ＋基板（絕緣柵極雙極晶體管的集電極），這一點(diǎn)改良就使得絕緣柵極雙極晶體管具有一系列的突出優(yōu)點(diǎn)：正向偏置，輸入阻抗高，導(dǎo)通電阻低，耐壓高，平安工作區(qū)大以及開(kāi)關(guān)速度高等。
看功率器件的封裝也能簡(jiǎn)單判別開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)劣。管芯直接焊接在基板上，能夠進(jìn)步散熱效率，降低寄生電感、電容和熱阻。不是直接焊接在基板上的產(chǎn)品，就比擬差了。
二、電路原理
�。保� 要看它采用硬開(kāi)關(guān)技術(shù)還是軟開(kāi)關(guān)技術(shù)。由ＬＣ無(wú)源元件和快恢復(fù)二極管組成的各種無(wú)耗緩沖電路，改動(dòng)了開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)過(guò)渡過(guò)程，使開(kāi)關(guān)電壓、電流的改動(dòng)不是突變的（即硬開(kāi)關(guān)）而是緩變的（即軟開(kāi)關(guān)），從而顯著地減小了功率器件的開(kāi)關(guān)損耗，進(jìn)步系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)頻率，降低變換器的體積和重量，減少系統(tǒng)的輸出紋波，并且能夠克制變換電路對(duì)寄生散布參數(shù)的敏理性，降低系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)噪音，展寬系統(tǒng)的頻帶，改善系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性能。
�。玻此捎米冾l控制（ＰＦＭ）還是恒頻控制（ＰＷＭ）。恒頻控制（又稱(chēng)相移控制）方式要優(yōu)于變頻控制方式。相移控制的全橋變換電路，綜合恒頻控制技術(shù)和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，在大范圍內(nèi)完成恒頻控制，完成輸出電壓或電流的大范圍無(wú)級(jí)調(diào)理，在功率器件換流霎時(shí)，完成零電壓開(kāi)關(guān)換流。
�。常β室驍�(shù)校正技術(shù)能夠抑止電網(wǎng)側(cè)諧波電流，減少無(wú)功功率，從而改善功率因數(shù)，同時(shí)降低電源高次諧波產(chǎn)生的噪音和污染，到達(dá)節(jié)能目的。
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